主要观点总结
本文介绍了河南省科学院半导体研究所何军教授团队与中国科学院大学王峰研究员合作发表的关于铁电材料的研究成果。文章关注传统铁电材料的挑战以及新兴二维范德华铁电半导体α-In₂Se₃的融合特性。研究团队通过将三维铁电介电BiFeO₃与二维铁电半导体α-In₂Se₃结合，构建了双极铁电场效应晶体管，实现了非易失性存储能力的显著突破。该成果在Small期刊上发表。文章还介绍了研究背景、成果介绍、图文导读、总结展望和文献信息。
关键观点总结
关键观点1: 研究背景
传统铁电材料如钛酸钡（BaTiO₃）、钛酸铅（PbTiO₃）和铋铁氧体（BiFeO₃）在铁电场效应晶体管（FeFETs）中有广泛应用，但面临高温快速热退火工艺和晶格匹配挑战。新兴的二维范德华铁电半导体如α-In₂Se₃提供了解决方案。
关键观点2: 成果介绍
何军教授团队通过将BiFeO₃与α-In₂Se₃结合，构建了双极铁电场效应晶体管。这种结合确保了编程后剩余极化的和谐耦合，有效缓解了铁电极化的弛豫过程，延长了FeFET存储器的数据持续时间。新型双极铁电场效应晶体管的数据保持时间超过1000 s，即使在380 K的高温下也能维持长时间存储。
关键观点3: 研究方法和影响
该研究采用PLD方法在SRO缓冲STO衬底上外延生长BFO膜，然后采用ALD方法在BFO上沉积HfO₂。随后将α-In₂Se₃薄片剥离到HfO₂层上。这种战略性整合及材料间的极化耦合效应显著增强了双FeFET的存储能力。此外，研究还显示双FeFET具有多状态存储潜力，响应时间短，且对外部干扰如光具有显著的抵抗力。
关键观点4: 文献信息
该研究成果已在Small期刊上发表，文献链接提供在文中。上海昂维科技有限公司提供二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务。
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