专栏名称: 低维 昂维
分享最前沿二维材料动态。
目录
相关文章推荐
今天看啥  ›  专栏  ›  低维 昂维

ACS Nano:具有近理想开关斜率的全2D材料无亚阈值场效应晶体管

低维 昂维  · 公众号  ·  · 2024-08-05 23:45
    

文章预览

点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习,解决讨论问题,我们建立了一些微信群,作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291; 2.告知:姓名-课题组-研究方向,由编辑审核后邀请至对应交流群(生长,物性,器件); 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿,免费宣传成果,发布招聘广告,具体联系人:13162018291(微信同号)             研究背景 布尔逻辑是信息处理的基础,它是由一个叫做开关的单独组件构成的。在CMOS芯片中,开关基本上是一个MOSFET。在过去的半个世纪里,MOSFET的缩放使集成密度、计算能力和固态芯片的经济性取得了进步。然而,FET开关行为的非理想性存在,特别是在亚阈值区域,尽管有栅极控制,但漏极电流呈指数级下降,很像正向偏置二极管。在MOSFET中,开关斜率(SS)传统上由亚阈值斜率(或其 ………………………………

原文地址:访问原文地址
快照地址: 访问文章快照
总结与预览地址:访问总结与预览