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许多努力致力于减少钙钛矿表面和/或晶界的缺陷;然而,晶粒内部的生长缺陷却很少被研究。本文研究了热处理过程中冷却速率对多晶钙钛矿薄膜中点缺陷浓度的影响。 中山大学 Jiangsheng Xie和Pingqi Gao等人 通过理论和实验研究相结合,该工作揭示了钙钛矿薄膜中的过饱和点缺陷是在冷却过程中产生的,并且其浓度随着冷却速率的增加而增加。通过减慢冷却速率可以最大限度地减少过饱和点缺陷。 因此,优化的 FAPbI 3 多晶薄膜实现了高达 12.6 µs 的卓越载流子寿命并提高了稳定性。冠军器件的 PCE 为 25.47%(认证为 24.7%),在最大功率点运行超过 1100 小时后仍保留其初始值的 90%。这些结果提供了对多晶钙钛矿薄膜中生长缺陷形成机制的基本理解。 Q. Yin, T. Chen, J. Xie, R. Lin, J. Liang, H. Wang, Y. Luo, S. Zhou, H. Li, Z. Wang, P. Gao, Unveiling the Effect of Cooling Rate on Grown-i
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