北京化工大学相国磊/清华大学王训 JACS：纳米晶界增强CeO₂表面氧活性底层电子结构机理解析

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第一作者：Weixin Zhao 、  Wenyu Jia 通讯作者： 王训、   相国磊 通讯单位： 清华大学、北京化工大学 研究背景与内容 氧化物纳米材料如二氧化铈（ CeO2 ）在多种催化应用中作为活性组分或载体发挥着关键作用，包括多相催化、电催化、电催化和环境催化。提高氧化纳米材料表面晶格氧原子的反应活性是提高其氧化、加氢和电催化性能的关键；然而，控制这种表面反应性的基本电子机制长期以来一直没有得到充分的了解。 本文揭示了纳米晶界（ GB ）增强 CeO 2 纳米材料本征表面反应性的电子机制，其中 GB 是通过热解碳酸铈和甲酸酯前驱体引入的。 研究要点 要点 1. 本文揭示了还原 Ce−O 共价在控制 O sl 原子在 CeO 2 纳米材料上的固有反应性中的作用。作者通过在 CeO 2 （一种二维缺陷）中引入纳米级 GBs 来降低 Ce−O 共价。并研究了 GBs 对纳米材料表面 ………………………………