三星第五代1b制程DRAM良率未达标，已成立工作小组解决

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6月12日消息，根据韩国媒体ZDNet Korea的报导，三星第五代10nm级（1b）制程DRAM良率未达业界80%~90%的一般目标，这使得三星已于上个月开始，成立专门工作小组来进行解决。 三星是在于2023年5月宣布第五代10nm级（1b）制程16Gb DDR5內存开始量产，后又于2023年9月宣布第五代10nm级（1b）制程的32Gb DDR5內存开发成功。这代表着三星可在不使用TSV硅穿孔技术的情况下，就能生产128GB容量的高密度DDR5 RDIMM内存模块。 因为相较于采用TSV硅穿孔的3DS DIMM內存，这种不使用TSV硅穿孔技术的内存模块功耗减少10%，制造成本也显著降低。所以，第五代10nm级（1b）制程的32Gb DDR5內存颗粒被三星电子视为未来的主力产品。现在，三星成立专门工作组，目的就是迅速提升良率，能在市场上具备竞争力。 三星电子还决定积极扩大第五代10nm级（1b）制程DRAM的产量，未来华城15和平泽P2 ………………………………