FD-SOI成≥12nm和≤28nm区间更好的选择，三星、格罗方德等公司如何布局？

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电子发烧友网报道（文/吴子鹏）全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）是一种平面工艺技术，能利用衬底偏压（body bias）提供广泛的性能以及功耗选项，兼具低功耗、近二维平面、高性能、低成本的特点，特别适用于面临性能和功耗双重挑战的相关应用，比如自动驾驶、AIoT、先进传感器和边缘智能等应用。 在2024年第九届上海FD-SOI论坛上，来自芯原股份、三星电子、意法半导体和IBS等公司的嘉宾着重分享了当前FD-SOI发展的前沿信息，以及这些重点公司的布局。 IBS：FD-SOI是≥12nm和≤28nm区间更好的选择 第九届上海FD-SOI论坛上，IBS首席执行官Handel Jones分享的主题是《人工智能的影响，以及为何FD-SOI技术如此重要》。这和他去年的演讲主题比较像，去年他分享的主题是《为什么FD-SOI对生成式人工智能时代的边缘设备非常重要》，当时他主要谈到FD-SOI技术的市场 ………………………………