2nm之战全面打响！背面供电成制胜关键？

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了解最快最全半导体投资资讯，请关注 【半导体投资联盟】 微信公众号 更多重磅新闻， 请点击进入 爱集微小程序   阅读 或下载爱集微APP阅读 毫无疑问，目前台积电赢得了FinFET的战争。所有值得关注的前沿逻辑设计，甚至英特尔的设计，都是在台积电位于中国台湾南部的N5和N3工艺上制造的，竞争对手已被甩在后面。三星自7nm工艺以来性能一直表现不佳，且产量低下；英特尔4nm和3nm工艺仍处于复苏初期；无论是外部客户还是内部客户，都没有大批量订购这些节点的产品。 但台积电未来能否占据主导地位尚未可知。FinFET无法进一步扩展，而SRAM的微缩在几个节点上已经停滞。该行业正处于关键的转折点。在未来2~3年内，前沿逻辑设计必须采用两种新模式：全环绕栅极（GAA）和背面供电网络（BSPDN或backside power delivery network）。 英特尔在其10nm节点上一 ………………………………