2024, Nature Electronics——通过窗接触技术实现的稳健低温欧姆接触：莫尔二硫化钼晶体管中的分数量子霍尔态

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文章链接： https://www.nature.com/articles/s41928-024-01274-1 亮点： 1. 窗接触技术的应用 ：通过窗接触技术，成功实现了在广泛的温度范围内（毫开尔文到300 K）为n型MoS₂晶体管创建稳健的欧姆接触。 2. 高迁移率与量子霍尔态的观察 ：观察到在低温下的场效应迁移率和量子迁移率均超过了预期值，为量子霍尔态的研究提供了良好基础。 3. 分数量子霍尔相的证据 ：在双层MoS₂中发现了分填充的量子霍尔态，展示了该材料在研究强电子关联现象中的潜力。             摘要 基于半导体过渡金属二硫化物的晶体管理论上可以提供高载流子迁移率、强自旋轨道耦合以及在量子基态下固有的强电子相互作用。这使得它们在低温纳米电子学中具有良好的应用前景。 然而，在低温下为过渡金属二硫化物层创建稳健的欧姆接触是困难的。 因此，无法达到费米能级接近 ………………………………