AM：CVD合成高度各向异性的2D绝缘体CrOCl纳米片以实现各向同性二维半导体中的界面对称性破缺！！

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陕西师范大学徐华，中国科学院深圳先进技术研究院王晓发表了题为“ Synthesis of Highly Anisotropic 2D Insulator CrOCl Nanosheets for Interfacial Symmetry Breaking in Isotropic 2D Semiconductors ”的工作于 Advanced Materials 期刊上。 本文报道了通过化学气相沉积（CVD）方法成功合成了二维铬氧氯（CrOCl）纳米片，并研究了其在二维异质结构中的电子属性和器件应用。CrOCl作为一种范德瓦尔斯反铁磁绝缘体，因其在二维光电子、铁磁和量子器件中的潜在应用而受到广泛关注。研究团队通过控制合成条件，实现了对CrOCl纳米片厚度和尺寸的精确调控，并构建了MoS2/CrOCl异质结构，通过界面对称性破缺实现了从各向同性到各向异性的转变，进而实现了极化敏感的光电检测和体光伏效应。 研究背景 二维异质结构中的对称性破缺为凝聚态物理学中产生新兴量子现象提供了前所未有的可能 ………………………………