主要观点总结
欧洲联合研究团队成功开发出一种3D超构材料,实现了数据比特序列的存储。这种材料由钴、铂和钌层交替组成,沉积在硅晶圆上,可用于新型数据存储器件、传感器和神经网络的磁性实现。其关键特点在于,不仅单个比特,整个比特序列都可以存储在尺寸仅为100 nm左右的圆柱形畴中。这种技术的精确控制畴壁的自旋结构至关重要,其在磁存储技术中的应用可克服当前数据密度限制。此外,该技术在磁电子学和其他领域也有应用潜力。
关键观点总结
关键观点1: 研究团队成功开发出一种3D超构材料
该材料由钴、铂和钌层交替组成,沉积在硅晶圆上,具有垂直磁化结构。
关键观点2: 首次实现了数据比特序列的存储
不仅单个比特,整个比特序列都可以存储在尺寸仅为100 nm左右的圆柱形畴中。
关键观点3: 精确控制畴壁的自旋结构至关重要
研究人员通过控制合成反铁磁体的磁性行为和各层厚度,实现了对畴壁磁化方向的精准控制。
关键观点4: 该技术在磁电子学和其他领域有应用潜力
例如,可用于磁阻传感器、自旋电子元件和神经网络的磁性实现。
文章预览
据麦姆斯咨询报道,欧洲一支联合研究团队开发出一种3D超构材料,首次实现了数据比特序列的存储。 由德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心(HZDR)、开姆尼斯工业大学(TU Chemnitz)、德累斯顿工业大学(TU Dresden)和尤利希研究中心(Forschungszentrum Jülich)组成的研究团队首次证实,不仅是单个比特,整个数据比特序列都可以存储在尺寸仅为100 nm左右的圆柱形畴中。这些圆柱形畴可用于新型数据存储器件和传感器,甚至包括神经网络的磁性变体。 其3D超构材料由钴层和铂层交替组成,中间由钌层隔开,沉积在硅晶圆上。由此获得的超构材料是一种合成反铁磁体。其特点在于具有垂直磁化结构,相邻层块具有相反的磁化方向,从而整体呈现净中性磁化。 “这些圆柱形畴,即磁泡畴,是薄磁层中的一个圆柱形区域。 其自旋,即产生材料磁矩的电子
………………………………