中科院研发出新型“热发射极”晶体管：功耗降低、性能提升！

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8月15日消息，据央视新闻报道，近日，中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料，发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制，并构建了“热发射极”晶体管，得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管，有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。该研究成果于8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。 众所周知，晶体管是集成电路的基本单元。正如水龙头的阀门可以调节水流的大小，晶体管也能够调控由电子或空穴等载流子形成电流的大小。在通常情况下，载流子与周围环境处于热平衡状态，称为“稳态”；但通过电场加速等方法，可以提升载流子的能量，使其成为“热载流子”。如果能够有效操控这种高能的热载流子，并提高其浓度，将有望进一步提升晶体管的速度和功能。 据了解，此次中国科学院金属研究 ………………………………