全球首发！天岳先进，12英寸碳化硅衬底

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11月14日，天岳先进官微披露，2024德国慕尼黑半导体展览会（Semicon Europe 2024）于11月12日正式开幕，天岳先进携全系列碳化硅（SiC）衬底产品亮相，并于11月13日发布了12英寸（300mm）N型碳化硅衬底产品，标志着碳化硅产业正式迈入超大尺寸碳化硅衬底时代。 source：天岳先进 据介绍，12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。 另据天岳先进官微消息，天岳先进近日向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底。天岳先进表示，高质量低阻P型碳化硅衬底将加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。 据介绍，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在 ………………………………