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引言 随着光伏与储能系统的快速发展，新能源市场对效率和功率密度的要求越来越高，这要求功率器件的开关频率和性能同步提升。为了满足高开关频率的需求，华太电子在超结IGBT一代的基础上研发出650V和1200V的超级结IGBT第二代（以下简称：SJ-IGBT G2）系列产品。与场截止型IGBT相比，SJ-IGBT G2充分发挥了超级结的优势，显著提升了器件的正向导通能力和开关特性。 01 SJ-IGBT G2 技术特点 采用超级结IGBT可完美实现高耐压、低通态压降的特性。 在功率器件关断时，低掺杂的外延层要承受高耐压； 在 功率 器件导通时，器件内部形成一个高掺杂N+区，作为功率器件的电流通路。 相比于传统FS IGBT， SJ-IGBT G2 有如下优势： 低导通压 降： 在同样的反向耐压下， SJ-IGBT G2 具有更薄的漂移区，可有效降低芯片导通压降。 低开关损耗 ： 漂移区的超级结结构能够
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