主要观点总结
文章主要讨论了垂直单元效率（VCE）在3D NAND单元中的重要性，并介绍了不同公司如三星、SK hynix、美光、铠侠和长江存储在垂直单元效率方面的表现。文章还解释了如何计算垂直单元效率，并指出了高垂直单元效率对工艺集成、较低的长宽比和较低的吞吐量的影响。
关键观点总结
关键观点1: 垂直单元效率（VCE）在3D NAND单元中的重要性
随着堆叠总门数的增加，VC孔高度也增加，VCE对于提高工艺、设计和集成效率至关重要。
关键观点2: 如何计算垂直单元效率
垂直单元效率可以定义为总门数中有效单元的百分比，通过有效WL数除以集成总门数来计算。
关键观点3: 不同公司在垂直单元效率方面的表现
三星在每一代产品中都有最高的VCE，而SK hynix、长江存储、美光和铠侠的垂直单元效率略低。
关键观点4: 高垂直单元效率的优势
高垂直单元效率有利于工艺集成、较低的长宽比和较低的吞吐量。
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来源：techinsights 原文链接： https://library.techinsights.com/search/blog-viewer/a8bf096b-fd79-4ab4-8957-0310ee5bade7?t=2xx-layer-products-from-samsung-sk-hynix-micron-and-ymtc _source=blog _medium=website _campaign=Roadmaps 当谈到3D NAND单元效率时，垂直单元效率（VCE）在NAND单元工艺、设计、集成和器件操作中尤为重要。随着堆叠总门数的增加，单元的VC孔高度也随之增加。为了减少VC高度和长宽比，其中一种方法是通过减少虚拟门、通道门和选择门的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以定义为总门数中有效单元的百分比，这意味着它可以通过有效WL数除以集成总门数来计算。 例如，一个NAND串由有效WL、通道WL（虚拟WL）和选择器（源端和漏端）组成。如果它有96个有效WL和115个总门数，那么垂直单元效率为83.5%，可以通过96除以115得到。垂直单元效率越高，对于工艺集成、较低的长宽比
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