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▲第一作者：Evgeny Redekop 通讯作者：Andrea F. Young 通讯单位：美国加州大学圣巴巴拉 论文doi：10.1038/s41586-024-08153-x （点击文末「阅读原文」，直达链接）     背景介绍 分数chern绝缘体( Fractional Chern insulators，F CIs) 是将分数阶量子霍尔态推广到具有破缺时间反转对称性的晶格系统。 对FCIs的兴趣来自于它们可能作为晶格上相互作用费米子的基态出现，包括在零磁场下，时间反演对称性自发破缺。轨道磁化强度提供了拓扑和相互作用的灵敏探针，特别是在 chern 绝缘体中具有丰富的现象学，其中拓扑边缘态携带大的平衡电流。     本文亮点 1. 本工作利用纳米级超导传感器来映射 MoTe 2 扭曲双层膜中的磁条纹场，其中输运和光学传感实验揭示了零磁场下分数chern绝缘体 (FCI) 态的形成。 2. 本工作 观察到与第一摩尔孔带填充ν = −1、−2/3、−3/5、−4/7和− ………………………………