三大巨头，竞逐HBM市场

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‍ 集微网·爱集微APP，各大主流应用商店均可下载 高带宽存储器（HBM）技术作为即将到来的“存内计算/处理”时代的一种“近内存计算/处理”阶段，得到了三大内存制造商三星、SK海力士和美光的高度关注。这三大制造商正在HBM技术的开发上竞相角逐，特别是硅通孔（TSV）工艺集成和3D HBM DRAM芯片堆叠技术。 根据TechInsights的报告，HBM是一种具有高带宽和宽通道的3D堆叠DRAM器件，适合高性能计算（HPC）、高性能图形处理单元（GPU）、人工智能和数据中心应用所需的高能效、高性能、大容量和低延迟内存。TechInsights预计即将推出的HBM4（2025-2026年）和HBM4E（2027-2028年）器件将拥有48GB甚至64GB，16Hi和1.6TB/s或更高。 HBM技术的带宽从HBM Gen1的约1 Gbps和HBM Gen2的2 Gbps，增加到HBM2E的3.6 Gbps，再到现在的HBM3的6.4 Gbps和HBM3E的9.6 Gbps。对于Gen1和Gen2 HBM器件，SK海力士在H ………………………………