预期提前，铠侠再次加速，3D NAND准备冲击1000层

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电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，铠侠再次宣布，将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠，而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示，将在2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对存储容量的需求也在不断上升。但传统2D NAND闪存逐渐逼近其物理极限，当制程技术不断缩小，达到十几纳米节点，每个存储单元都变得非常小，导致制造的复杂性和成本显著增加。 如果只是成本增加，那么还能通过批量生产的方式来降低。但随着存储单元尺寸的减小，之间的距离也在越拉越近，这增加了串扰的风险，从而影响 ………………………………