MOS管损坏之谜：五种原因

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第一种：雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿 电流 其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。 在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率 MOSFET 的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。 典型电路： 第二种：器件发热损坏 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。 直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热 ●导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加） ●由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小） 瞬态功率原因：外加单触发脉冲 ●负载短路 ●开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的） ●内置 二极管 的trr损耗 ………………………………