铠侠1000层NAND，更多细节

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID： i c ba nk）编译自blocksandfiles，谢谢。 在 NAND 晶圆厂合资合作伙伴西部数据表示制造成本正在上升而投资回报率正在下降的背景下，铠侠在首尔举行的 IWM 2024 会议上概述了 1,000 层 3D NAND 的技术路线图。 日本媒体《PC Watch》报道了铠侠的宣传，通过推断过去的趋势并改进 NAND 单元技术，铠侠预测到 2027 年 NAND 芯片密度将达到 100 Gbit/mm2，具有 1,000 个字线（存储单元）层。 3D NAND 层数普遍从 2014 年的 24 层增加到 2022 年的 238 层，八年间增长了 10 倍。Kioxia 表示，以每年 1.33 倍的增长率，到 2027 年将可达到 1,000 层的水平。 提高 3D NAND 芯片的密度不仅仅是在芯片上堆叠更多层，因为每层的边缘都需要暴露以进行字线电气连接。这为芯片提供了阶梯状轮廓，随着层数的增加 ………………………………