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具有可变形形状因子的高效率和高清晰度显示器,是下一代电子设备所高度期望的。尽管量子点quantum dots (QDs)具有独特的优势,包括较高的光致发光量子产率、宽的颜色范围和高的颜色纯度,但开发用于高清晰度像素和高效量子点QD发光二极管 light-emitting diodes(QLEDs) 的量子点QD图案化工艺,仍处于早期阶段。 今日,韩国 蔚山科学技术院(Ulsan National Institute of Science and Technology,UNIST) Jisu Yoo, & Moon Kee Choi等,大邱庆北科学技术院(DGIST, Daegu Gyeongbuk Institute of Science & Technology)Kyunghoon Lee,, Jiwoong Yang等,在Nature Photonics上发文,通过量子点QD/ZnO薄膜的超高清双层转印技术,展示了高效的量子点发光二极管QLED。 粘弹性印章stamps的表面工程,使双层转印成为可能,可以创建每英寸2,565像素的RGB像素化图案,以及每英寸约20,526像素的单色量子点QD图案。通过
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