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本文来源于北京大学新闻网 ！ 一、研究背景： 二维材料具有丰富的物理特性，在电子、能源和催化等领域具有广阔的应用前景。尤其是在高性能电子器件领域，原子级厚度的高迁移率二维半导体有望成为下一代沟道材料，延续摩尔定律。而在二维电子器件中，栅介质与二维沟道材料之间仍然存在缺陷、杂质以及悬挂键等问题，造成载流子的散射，严重制约了器件性能。因此，获得高质量的沟道-栅介质界面是学术界与工业界关注的重点。六方氮化硼俗称“白石墨烯”，与石墨烯的二维晶体结构类似，具有无悬挂键和原子级平整表面，又兼具高导热率和良好电绝缘性，是理想的二维界面缓冲材料，能够减少二维沟道材料与栅介质集成时的界面损伤和载流子散射，有助于获得二维材料的本征优异性质。面向高介电金属栅极（HKMG）的晶圆级集成与高
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