研报 | HBM3e 12hi面临良率和验证挑战，2025年HBM是否过剩仍待观察

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Sep. 30. 2024  产业洞察 近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示， 由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。 根据TrendForce集邦咨询最新调查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）与Micron（美光）已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi样品，目前处于持续验证阶段。 其中SK hynix与Micron进度较快，有望于今年底完成验证。 市场传出因部分DRAM供应商积极增加硅穿孔(Through-Silicon Via, TSV)制程产能，将造成2025年出现供过于求与价格下滑的可能。根据两家韩国DRAM厂商目前的TSV产能提升计划，Samsung将从2024年底的单月120K至2025年底增加为单月170K，提升幅度超过40%，而SK hynix在同期的月产能提升比例预估为25%。但由于厂商产 ………………………………