文章预览
点击蓝字 关注我们 为了方便各位同学交流学习，解决讨论问题，我们建立了一些微信群，作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291； 2.告知:姓名-课题组-研究方向，由编辑审核后邀请至对应交流群(生长，物性，器件)； 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告，具体联系人：13162018291（微信同号） 【研究背景】 六十年来，通过缩小晶体管尺寸来不懈追求“深度摩尔”（More Moore）的过程，一直由器件架构的创新所驱动，例如鳍式场效应晶体管（FET）技术的发展、高 κ 介电材料的集成、改进互连以及极紫外光刻技术的进步。有趣的是，尽管设备级的扩展令人印象深刻，但它已经远远超过了封装级的进步。这凸显了三维（3D）集成的重要性—这是一种“正交缩放”方法，为提高器件集成密度提供
………………………………
