SD NAND参考设计提示

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一、 电路设计 1、参考电路： R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉电阻，当SD NAND处于高阻抗模式时，保护CMD和DAT线免受总线浮动。 即使主机使用SD NAND SD模式下的1位模式，主机也应通过上拉电阻上拉所有的DATO-3线。 R6（RCLK）参考0-120 Ω。 其他详细电路应用说明，请参考“SDA协会规范”第6章“SD Memory Card Hardware Interface”。 2、电源VDD（VCC_3V3）建议单独供电，且需要注意提供SD NAND电流供电能力不小于200mA。 3、下图是SD协议规定的上电规范，SD NAND的工作电压范围是2.7V-3.6V： 为了确保 芯片 能正常上电初始化，电压要在0.5V以下至少1ms；电源上升的时候需要保持电源是稳定的、持续上升的，上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms；主机关闭电源时，将卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期为1ms。在断电期间，DAT, CMD和CLK应断开连接或由主机驱动到逻辑0，以避免工作 电流 通过 ………………………………