长光辰芯发布GLT5009BSI-DUV版本，助力半导体缺陷检测

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2024年8月15日，长光辰芯发布时间延迟积分（TDI）CMOS图像传感器 GLT5009BSI深紫外（Deep Ultraviolet- DUV）增强版本。 产品采用先进的背照式技术，在GLT5009BSI可见光版本的基础上， DUV版本极大提升了UV范围的灵敏度 ，结合GLT5009BSI固有的高分辨率、高灵敏度、高动态范围、宽光谱响应、低噪声等优异性能，DUV版本的应用领域进一步得到拓展， 为半导体晶圆缺陷检测、半导体材料缺陷检测 等应用提供更高效率、精准的检测支持。 目前，在半导体晶圆检测系统中大多使用266nm的激光器。为了应对266nm下的晶圆检测需求，长光辰芯在GLT5009BSI可见光版本的基础上，通过优化晶圆表面像素层ARC膜系的结构，提升TDI传感器在DUV谱段的响应， 使其在266nm波段的量子效率可达50%以上。 GLT5009BSI-DUV版本的芯片，不仅其极高的行频保证了检测效率，同时也使得检测系统具有更 ………………………………