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真空或气相沉积是半导体行业最成熟和最广泛使用的薄膜生长方法。然而,与溶液工艺沉积相比,卤化物钙钛矿的气相生长仍然相对未被充分探索。卤化物钙钛矿中有机和无机成分本质上截然不同的挥发性对标准物理气相沉积技术提出了挑战。热共蒸发通过每个前体的独立热控源解决了这个问题。或者,脉冲激光沉积利用激光的能量通过热和非热过程从靶材中喷射材料。这为靶材成分提供了高度的多功能性,从而能够从单一源靶材沉积复杂(包括混合)薄膜。鉴于此,2024年8月1日 荷兰特温特大学Monica Morales-Masis 于ACS Energy Letters刊发激光沉积金属卤化物钙钛矿的观点,本观点概述了基于激光的卤化物钙钛矿沉积的最新进展,讨论了优势和挑战,并推动了混合材料物理气相沉积方法的开发,特别是对于需要干式、保形和多层沉积的应用。 原
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