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光入射到材料上，可引起电导率的变化，这种现象称之为光阻photoresistance。在半导体中，光阻是负的，因为光诱导促进了电子穿过带隙，以增加了参与传输的电荷载流子数量。在超导体和正常金属中，由于超导态被破坏和增强的动量弛豫散射，光阻是正的。 今日，新加坡国立大学（National University of Singapore）M. Kravtsov, A. L. Shilov，D. A. Bandurin等，在Nature Nanotechnology上发文，报道了掺杂金属石墨烯标准行为的定性偏差。 研究发现，在连续太赫兹terahertz (THz)辐射时，狄拉克电子可从晶格中热退耦decoupled，从而激活流体动力学电子输运。 在这种情况下，由于太赫兹THz驱动相关电子的超弹道流superballistic flow，石墨烯收缩的电阻降低。 还分析了负光阻，对载流子密度和辐射功率的依赖性，并表明这种超弹道器件，可作为灵敏的声子冷却测辐射热计，因此，原
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