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点击小程序查看研报原文 核心观点 台积电将在近期安装首款High-NA设备，全球先进制程迈入新阶段 根据Digitimes报道，台积电将于本月晚些时候开始安装其首款High-NA EUV光刻机，这款来自ASML的Twinscan EXE:5000光刻系统将被台积电专门用于研发目的，安装在中国台湾新竹的全球研发中心。此前，英特尔已购买并安装了2台High-NA EUV光刻机。由于高昂的设备价格（售价约4亿美元）和技术成熟度，台积电或最早在2028年量产的A14节点才会采用这款设备。我们认为此次事件标志着全球先进制程迈入发展新阶段。 全球将于2028/2036年进入1nm/0.2nm时代，台积电先进制程稳步推进 根据IMEC，全球半导体行业将于2024年进入2nm时代，2028年量产1nm，2030年引入CFET的晶体管结构量产0.7nm，2036年量产2DFET晶体管结构的0.2nm。台积电目前已开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制
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