未来5G通信需要怎样的射频前端？

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来源：内容来自Ctimes ， 谢谢。   预计2020年，市场将出现商业化应用，高速传输对行动设备带来严峻挑战，新世代的行动设备需要满足更高的温度、功率、电压、效能与抗辐射需求，就目前技术来看，具备宽能带、高饱和速度、高导热性和高击穿电场强度等特色的化合物半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN) 无疑是市场上高温、高频及高功率元件材料的最佳解答，根据Yole Development的研究指出，2013年至2022年，SiC功率半导体市场年均复合将达38%，而2016 年至2020 年GaN 射频元件市场复合年增长率将达到4%，因此，如何积极因应此一趋势，善用本身优势布局市场，将是台湾半导体产业这几年的重要课题。 持续精进的化合物半导体技术 络达科技技术长林珩之博士就指出，与过去 ………………………………