主要观点总结
该报告主要介绍了光刻工艺及其在集成电路制造中的应用，详细描述了光刻机、光刻胶和光掩膜的作用及工作原理。同时，报告还讨论了光刻技术的升级路径，包括光源、数值孔径、工艺系数和机台的影响，并分析了光刻机市场的发展趋势。此外，报告还提到了国内在光刻技术领域的进展和挑战。
关键观点总结
关键观点1: 光刻工艺的重要性
光刻是集成电路制造中的核心环节，利用光学和化学方法将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形。
关键观点2: 光刻技术的主要工具及材料
光刻技术的主要工具包括光掩膜、光刻机和光刻胶。光掩膜是微电子制造过程中图形转移的工具或母版；光刻机类似于纳米级打印机，通过光源将光掩膜上图形投射在硅片上；光刻胶则在曝光后发生性质变化，从而实现图形从掩膜版到衬底片之间的转移。
关键观点3: 光刻技术的升级路径
分辨率由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定。提高分辨率的方法包括增大数值孔径、缩短波长、减小光刻工艺因子等。新一代光刻机在光源波长、数值孔径等方面不断提升，以应对更先进的制程需求。
关键观点4: 光刻机市场的发展趋势
全球光刻机市场呈现一超两强的格局，ASML是EUV光刻机的独家供应商。随着技术的发展和成本的综合驱动，光刻机市场将持续增长。同时，新建晶圆厂和产线扩产需求也将推动市场的发展。
关键观点5: 国内在光刻技术领域的进展与挑战
国内在光刻技术领域有诸多技术储备，如准激光光源、光学镜头等方面都有研发成果。但是，与国际先进水平相比，国内在光刻技术领域仍面临诸多挑战，如高端光刻机的研发和生产、核心系统的技术垄断等问题。
文章预览
（报告出品方/作者：华金证券，孙远峰、王海维、宋鹏） 光刻：集成电路制造核心环节 光刻三剑客：光刻机+光刻胶+光掩膜 光刻工艺是指集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。 光刻工艺可以理解为使用光刻技术进行某一类加工的一种工艺；而光刻技术是则指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（即：光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。典型的光刻工艺流程包括衬底制备、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。在光刻中主要使用工具及材料为光掩膜、光刻机及光刻胶。 光刻机：通过光源将光掩膜上图形投射于硅片 光刻机：类似纳米级打印机，通过光源将光掩膜上图形母版投射在硅片上。 工作原理：利用光刻机发出的
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