3nm & Beyond: 台积电、三星和英特尔各有什么规划线路？

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在半导体制造中，3nm工艺是继5nm MOSFET技术之后的下一个工艺节点。全球晶圆制造三巨头（英特尔、三星和台积电）都于2019年宣布了3 nm研发和量产计划。三星的3nm工艺率先采用GAAFET（栅极全绕型场效应晶体管）技术，他们自称为MBCFET（多桥沟道场效应晶体管）；而台积电的3nm工艺仍继续使用增强的FinFET（鳍式场效应晶体管）技术，2nm工艺将转向GAAFET结构；英特尔有望于2023年发布基于GAA结构的5nm工艺（性能相当于前两家的3nm工艺）。此外，IBM最近发布的2nm工艺芯片一直就采用跟其7nm和5nm芯片一样的纳米片（nanosheet）结构，也就是业界通称的GAA技术。 3nm工艺竞赛 “3nm”这一术语已经与晶体管的任何实际物理尺寸（诸如栅极长度、金属间距或栅极间距）无关了。它已经成 ………………………………