湖南大学-刘渊团队︱通过范德华层压进行单片三维逐层集成

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本文来源于湖南大学新闻网 ！ 一、研究背景： 三维集成是通过在垂直方向上将多个独立的芯片或功能层堆叠在一起的器件系统，能够实现逻辑、存储和传感等功能的垂直集成和协同工作，是后摩尔时代的重要技术路线。目前商用的三维集成主要是通过封装技术将多芯片或者多芯粒垂直堆叠和互联。 单芯片三维集成则是直接在同一芯片内部垂直集成多个器件层。通过将每一器件层直接制备在另一器件层之上，能够进一步提高芯片的互联密度和性能 。然而，硅基单芯片三维集成面临着严重的热预算问题，其上层的硅沟道制备工艺会导致下层硅器件掺杂扩散和性能退化，限制了三维集成的发展。 二、文章简介： 针对上述问题，近日，湖南大学物理与微电子科学学院 刘渊 教授团队报道了一种低温的范德华单芯片三维集成工艺。相关研究成果发表在 Nat ………………………………