高速GaN FET驱动器面世，大幅提升固态LiDAR分辨率

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据麦姆斯咨询报道，Murata company（日本村田）旗下子公司pSemi™ Corporation（曾用名Peregrine Semiconductor，以下简称pSemi）近日在INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM（IMS国际微波会议）上宣布推出应用于固态LiDAR（激光雷达）的GaN FET（氮化镓场效应晶体管）驱动器PE29101。PE29101具有业内最快的上升时间和更低的最小脉冲宽度。这款高速驱动器可帮助设计工程师充分利用GaN晶体管的全部性能和开关速度优势。在固态LiDAR系统中，更快的开关速度意味着更高的LiDAR成像分辨率和精度。 PE29101 GaN FET驱动器 “随着GaN逐步证明其在固态LiDAR等应用中的作用，设计工程师正利用pSemi的高速驱动器来最大化GaN的快速开关优势，” pSemi首席技术官Jim Cable说，“凭借PE29101的上升和下降速度，可帮助LiDAR系 ………………………………