缺陷限域电催化

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之前分享过一期有关缺陷工程调控电催化的内容： 缺陷不缺，大成若缺 (qq.com) 我们知道，引入缺陷可以调控周围电子结构，优化吸附能提高电催化活性之外，缺陷结构也可以作为基底起到限域的作用，用来负载单原子/clusters以避免其团聚，或者回填其他原子用来稳定缺陷结构的同时，进一步调控周围电子结构，或者缺陷与掺杂协同，这些也可以叫做缺陷的修饰。 列举一些典型的案例： 从空间效应上来看 基底原子的缺失给负载原子提供了“ 坑位 ”，并防止其团聚，这些“坑位”的大小会影响负载原子的尺寸大小，以及配位结构。 一、 空位缺陷锚定单原子 1. Ni(OH)2中Ni空位锚定Pt单原子 李亚栋 2018nc DOI: 10.1038/s41467-018-03380-z 文章报道了一种具有丰富镍离子（Ni2+）空位缺陷的镍氢氧化物纳米板，这种纳米板作为实际支撑，通过简单的湿浸渍法实现了 ………………………………