1000万nits单绿色Micro-LED，国内科研团队研究刊登Nature

主要观点总结

湖南大学科研人员在硅片上设计并生长出晶圆级均匀的绿色GaN外延层，并成功开发出亮度超过1000万尼特的绿色Micro-LED显示屏，论文已刊登在Nature杂志上。该研究成果基于氮化镓（GaN）的微发光二极管（Micro-LED）被认为是革命性的显示技术。然而，其面临侧壁损伤和光提取效率等技术挑战。为解决这些挑战，研究团队采用垂直非对准键合技术和原子侧壁钝化法成功解决了Micro-LED侧壁损伤问题，并实现了高亮度显示。此外，研究人员还将Micro-LED与硅基CMOS电路集成，为在大尺寸硅基GaN外延片上量产高亮度Micro-LED显示屏奠定了基础。

关键观点总结

关键观点1: 湖南大学科研人员在硅片上成功生长出晶圆级均匀的绿色GaN外延层。

该外延层具有高均匀性和性能优异的特点。

关键观点2: 利用该晶圆开发的绿色Micro-LED显示屏亮度超过1000万尼特。

这项成果被刊登在Nature杂志上，显示了其重要性。

关键观点3: Micro-LED面临的技术挑战包括侧壁损伤和光提取效率问题。

研究团队通过采用垂直非对准键合技术和原子侧壁钝化法成功解决了这些问题。

关键观点4: 研究团队实现了高亮度显示，将Micro-LED与硅基CMOS电路集成。

这为在大尺寸硅基GaN外延片上量产高亮度Micro-LED显示屏奠定了基础。

文章预览

近日，湖南大学科研人员在硅片（4英寸和6英寸）上设计并生长出晶圆级均匀的绿色 GaN 外延层，该外延层均匀性极高，性能优异。利用该晶圆，科研人员开发出亮度超过 1000 万尼特的绿色 Micro-LED 显示屏。该研究论文于本月已刊登在  Nature  杂志上。 基于氮化镓 (GaN) 的微发光二极管 (Micro-LED) 具有高像素密度和亮度，被认为是革命性的显示技术，在微显示和虚拟显示领域具有重要的应用前景。然而，像素尺寸小于 10 μm 的 Micro-LED 仍然面临侧壁损伤、光提取效率有限等技术挑战，导致发光效率降低和亮度不均匀性严重。 为解决这一难题，研究团队在硅衬底上生长 4 英寸晶圆级均匀绿光 GaN 外延层，该外延层具有 5.25 × 108 cm−2 的低位错密度、16.7 μm 的小晶圆弯曲和高波长均匀性（标准差 STDEV < 1 nm），可扩展至 6 英寸尺寸。 基于高质量 GaN 外延 ………………………………