工信部发文，国产光刻机又一次重大升级！

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近日，工信部发布了 《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》 （以下简称 《指导目录》 ），其中在“集成电路生产装备”一栏，有两款国产光刻机尤为引人关注。 一款是光源波长248nm、套刻精度小于25nm的 氟化氪光刻机 ；另一款是光源波长193nm、套刻精度小于8nm的 氟化氩光刻机 。 对此，不少网友误认为“ 后者可以用于8nm芯片的制造 ”。 （图片来源：工信部） 其实， 这样理解是错误的。 所谓套刻精度小于8nm，指的是前后两道光刻工序之间的图形对准精度达到了8nm以下，即误差小于8nm。 而 《指导目录》 中更为先进的氟化氩光刻机，实际制程约为55nm，技术水平相当于ASML于2015年出货的TWINSCAN XT 1460K光刻机。 要知道，ASML 今年 最新发布的极紫外光刻机，可是将制造工艺推向了2nm以下。与之相比， 我们在光刻机领域仍然落后ASML ………………………………