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科学材料站 文 章 信 息 第一作者:林东旭,方骏 通讯作者:丘龙斌,戚亚冰 通讯单位:南方科技大学,上海交通大学 DOI: 10.1002/advs.202407380 科学材料站 全 文 速 览 本研究采用表面平面化-外延生长技术制备均匀致密的p-i-n 2D/3D异质结PSCs。研究表明,表面平面化过程能够溶解3D钙钛矿表面的非晶区域,形成PbI 2 ,并在晶界处进行填充,从而有效降低薄膜的表面粗糙度和缺陷密度。同时,此过程增强了气相沉积PbI 2 与衬底之间的晶格匹配度,促进了PbI 2 以Frank-van der Merwe模式生长,有助于形成均匀且致密的2D钙钛矿覆盖层。最终,平面化的p-i-n 2D/3D PSC在使用带隙为1.57 eV的Cs 0.05 MA 0.1 FA 0.85 PbI 2.9 Br 0.1 钙钛矿作为吸光层时,获得了最佳PCE为25.31%;而以1.55 eV的Cs 0.05 MA 0.1 FA 0.85 PbI 3 钙钛矿为吸光层时,最佳PCE为26.02%。由于均匀的2D钙钛矿覆盖层,平面化的2D
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