在混合电源设计上，Si、SiC、GaN如何各司其职？

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电子发烧友网报道（文/梁浩斌）今年5月英飞凌公布了专为AI数据中心设计的PSU（电源供应单元）路线图，在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上，都混合采用了硅、氮化镓、碳化硅三种功率开关管，电子发烧友近期对此也进行了报道。 在电源、逆变器等领域，近年第三代半导体的兴起，让各种采用SiC和GaN的方案出现在市场上，同时也包括多种器件混合使用的方案，所以这些混合方案都有哪些优势？ 混合电源方案怎么选择器件？ SiC和GaN、Si等功率开关，特性都各有不同，因此可以说最贵的、最新的也未必是最好的，还得要看适不适合实际的应用场景。 以开头我们说到的英飞凌PSU方案为例，8kW PSU方案中，AC-DC级采用了多级PFC和SiC MOSFET，令该部分的效率高达99.5%，功率密度也达到100W每立方英寸；而DC-DC级上采用了GaN FET。 在AC-DC级的PFC电路中，需要对高压的交流 ………………………………