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海归学者发起的公益学术平台 分享信息，整合资源 交流学术，偶尔风月 以氧化镓(Ga2O3)为代表的第四代超宽禁带半导体材料具有优异的物理特性，有望进一步突破现有半导体材料的理论极限，在电子功率器件、日盲探测、高温气体传感领域有重要应用前景。然而由于氧化镓体系的高度复杂性，现有计算仿真研究均局限于针对百原子级的第一性原理计算，一些氧化镓相关的重要科学技术问题的研究必须建立在万原子级以上的大尺度计算体系之上，因其所需计算量过于庞大，无法仅依靠第一性原理计算开展系统研究。 来自南方科技大学电子与电气工程系的化梦媛助理教授与赵骏磊研究助理教授结合氧化镓半导体技术尖端发展趋势与机器学习最前沿研究，成功开发出能够大尺度模拟氧化镓多相态共生体系的分子动力学势函数，深入研究其生长调控机制
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