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对CdTe吸收层的背表面p型掺杂和钝化是提升CdTe薄膜太阳电池的关键步骤。近年来,不同的Cu掺杂前驱体(Cu(I)和Cu(Ⅱ)材料)和钝化材料(含Se,Cl,Al材料)被研究。然而,鲜有研究者提出新的兼具掺杂和钝化功能的背面应用材料。 鉴于此,2024年5月30日 四川大学王瑞林教授等人 (2021级博士生王永华为第一作者)于Nano Energy刊发兼具p型掺杂和Se钝化功能潜力的CuSe作为CdTe吸收层掺杂前驱体。采用与当前工业生产前端工艺相兼容的反溶剂沉积工艺,在CdTe吸收层背面均匀沉积了纳米CuSe颗粒。 研究结果显示,CuSe处理的CdTe薄膜太阳电池最优器件开路电压达到842.5mV,远远高于CuCl 2 处理的CdTe器件(791.4mV)。J-V测试,Mott-Schottky测试和阻抗谱测试结果表面,CuSe处理的CdTe薄膜太阳电池器件不仅达到了p型掺杂的目的,同时获得了Se的钝化功能。兼具掺杂和钝化的
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