台积电2nm、Intel 18A 首次工艺对决

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TechInsights发布了英特尔（Intel）和台积电（TSMC）在国际电子器件会议（IEDM）上披露的关于其即将推出的18A（1.8纳米级）和N2（2纳米级）工艺技术的关键细节。据TechInsights称， 英特尔的18A可能提供更高的性能，而台积电的N2可能提供更高的晶体管密度。 TechInsights的分析师认为，台积电的N2提供了313 MTr/mm²的高密度（HD）标准单元晶体管密度，这远远超过了英特尔18A（238 MTr/mm²）和三星SF2/SF3P（231 MTr/mm²）的HD单元密度。虽然这些信息与18A、N2和N3的SRAM单元尺寸以及台积电对N2和N3的预期大致一致，但有一些事项需要注意。 首先，这仅涉及HD标准单元。几乎所有依赖前沿节点的现代高性能处理器都使用高密度（HD）、高性能（HP）和低功耗（LP）标准单元的组合，更不用说台积电FinFlex和NanoFlex等技术的能力了。 其次，目前尚不清楚英特尔和台积电的HP和LP标 ………………………………