有望推动自驱动光电探测发展，科学家实现一维“全同”半导体条带阵列制造

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近期，中国人民大学 刘灿 副教授、北京大学 刘开辉 教授与合作者们先后发表 2 篇 Science ，并被审稿人评价为“低维材料制造领域里程碑式的工作 ” ，而这背后是团队近四年的努力和持续的技术攻关。 研究人员创新性地设计了一种“多重界面耦合原子制造 ” 策略，不仅实现特定手性结构，还能够实现相干极化方向的二硫化钨条带制造，从而使得一维半导体阵列的“全同 ” 控制成为可能 [1]。 在另一项研究中，他们首次提出“晶格传质-界面外延 ” 的菱方相二维晶体制备新范式 [2]，这种生长方式突破了二维材料表面生长中的层数自限制、堆垛结构不可控等局限性。 例如，能够快速生长二维单晶，速率达到 50 层/分钟；除此之外，还可控制逐层的单一方向，从而保证各层完全平行，最终达到厚层菱方相二维晶体结构。 “这是传统表面生长方法长 ………………………………