二维半导体“芯”突破：复旦大学在晶圆级二维CMOS工艺上迈出关键一步

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    研究背景 当前，越来越多的半导体人士开始关注二维半导体。这种新型材料具有天然的原子级厚度，可以有效抑制短沟道效应，同时无悬挂键的完美表面和合适的能带结构能够让电子在晶体管沟道中更快的运行。这些特性使其成为探索未来面向集成电路 1 nm 以下先进技术节点的最合适材料体系。 近年来大面积二维半导体的生长已经取得了显著进展，包括晶圆级 MoTe 2 和 MoS 2 的生长，这解决了二维材料大规模应用的材料难题；同时，二维半导体基础器件的研究也取得诸多进展，包括超短沟道、超低接触电阻的 MoS 2 、 InSe 等弹道输运晶体管，报道的器件性能也大幅超越了相同尺寸的硅基器件。值得注意的是，近年来越来越多基于二维半导体的中等规模集成电路成果开始涌现，说明这个领域已经开始逐步向工业级应用发展。 在向产业化技术演进中 ………………………………