推动后摩尔芯片元器件突破：清华学者多维度探索芯片基础问题，基于新材料研发全适配器件

文章预览

在过去半个多世纪，集成电路技术开创了摩尔时代，如今芯片晶体管密度已达到亿量级每平方毫米。我们在材料、工艺、器件、集成、架构、生态六大技术引擎驱动下，获得了摩尔浪潮。 实际上，早在十几年前，人们已经意识到摩尔定律失效的器件瓶颈问题。随着近年来 AI 技术的高速发展，人们对算力提出了更高的要求。 需要了解的是，芯片算力与单器件算力、晶体管密度、单芯片面积和单芯片集成度密切相关。 因此，在后摩尔时代，通过全新原理、全新架构的新型元器件提升芯片的单器件算力和芯片集成度，有望成为短期内提升算力的有效解决方案之一。 清华大学材料学院副教授、北京市集成电路高精尖创新中心研究员 王琛 致力于芯片硬科技的研究，从芯片新材料基础物性与后摩尔芯片两个端口，推动人工智能时代的最关键底层技术发展。 ………………………………