ECOC2024：华为之量子点激光器

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    HUAWEI 在（100）硅衬底上单片生长单模FP量子点激光器，其光功率在25℃ 120mA时达到33mW。     首先在3英寸硅片上实现GaAs非均相生长，然后将晶圆转移到MBE上进行超晶格层和量子点激光生长。采用超晶格层进行位错滤波，经过所有生长步骤后，QD激光器中的螺纹位错密度约为7.5e6𝑐𝑚−2。     腔长为1000 μm。对激光器进行300mA测试，没有出现扭结，显示出良好的单横模和量子点基态。在25℃120mA时，光功率达到33mW，电压仅为1.50V左右，阈值电流小于18mA。     1、性能： 最终的LI曲线如下所示，在25C和85C的阈值分别为18 mA和30 mA 。 出光功率达到70 mW @85 ℃@300 mA, 没有明显的rollover现象。 可见其高温性能特别好。    2、对比：下图是 和最牛的intel的量子点激光器做个对比如下，虽然还差一丢丢， 和2023OFC 的器件性能对比，感觉 阈值和出光功率没 ………………………………