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👆如果您希望可以时常见面,欢迎标星🌟收藏哦~ 来源:内容 编译自skhynix , 谢谢。 SK海力士今日宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。 SK海力士强调:“随着10纳米级DRAM技术的世代相传,微细工艺的难度也随之加大,但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代(1b)技术力为基础,提高了设计完成度,率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。” 公司以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺。SK海力士技术团队认为,由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误,还可以最有效地将业界内以最高性能DRAM受到认可的SK海力士1b工艺优势转移到1c工艺。
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