​9200MT/s的DDR5面世：采用EUV光刻技术

文章预览

▲  点击上方 蓝字 关注我们，不错过任何一篇干货文章！ 2月26日，美光科技公司宣布已经率先向生态系统合作伙伴和特定客户交付基于1γ（1-gamma）、第六代（10nm级）DRAM节点的DDR5内存样品，该内存专为下一代CPU设计。 1γ DRAM节点首先应用于16Gb DDR5 DRAM，后续将逐步融入美光的全系列内存产品，以满足行业对高性能、节能AI内存解决方案日益增长的需求。16Gb DDR5产品具备高达9200MT/s的速度，相较于前代产品，速度提升15%，功耗降低20%以上。 美光的1γ工艺节点是一种新的制造工艺，它使用极紫外（EUV）光刻技术——其极短的波长为13.5纳米——在硅片上打印更精细的特征通过。打印更小的特征，可以进一步缩小晶体管的尺寸，从而减小DRAM芯片的尺寸。因此，美光1γ 16Gb DDR5产品的每片晶圆比特数比1β（1-beta）16Gb DDR5产品提高了30%以上。1γ节点还利用了 ………………………………