西安电子科技大学杨如森/谭丹课题组AFM：单层褶皱ZnO的压电/挠曲电的耦合作用及对能带结构的影响

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▲第一作者：尹佩 共同通讯作者：Morten Willatzen，杨如森，谭丹 通讯单位：西安电子科技大学 论文DOI：10.1002/adfm.202408769 （点击文末「阅读原文」，直达链接）     全文速览 本研究探索了单层褶皱ZnO中压电和挠曲电的耦合效应，通过建立理论模型，成功分离了压电和挠曲电系数，解决了以往工作中对这两种效应耦合作用过度简化的问题，并对机电耦合效应提供了更准确的分析。研究结果揭示了压电和挠曲电极化在不同方向上对总极化的不同贡献，并建立了极化、压电系数、挠曲电系数、带隙和褶皱幅度之间的关系。     背景介绍 具有原子层厚度的材料在生长或转移过程中经常形成褶皱，包括沿一个方向的简单条纹褶皱和沿两个方向的复杂双轴褶皱。在这些褶皱材料中，电极化通常受到压电和挠曲电效应的共同影响。在讨论压电/挠曲电耦合作用 ………………………………