Nature Electronics | 上海交通大学：窗口接触技术在二维器件中的创新应用！

文章预览

点击“蓝字”关注我们，了解更多信息 研究背景 随着二维材料研究的快速发展，过渡金属二硫化物（TMDs）等原子层级的范德华半导体因其独特的电子特性和高理论载流子迁移率，成为高性能电子器件的重要平台。然而，实现这些材料在实际器件中的高迁移率仍面临诸多挑战。尤其是在低温和低载流子密度下，接触电阻和肖特基势垒的存在使得高效的电子传输变得困难，限制了量子霍尔效应等低温量子现象的探测。上海交通大学Tingxin Li发表了个人见解，内容如下： 图文导读 随着纳米技术和二维材料的发展，基于过渡金属二硫族化物（TMDs）的半导体器件逐渐成为高性能电子器件的研究热点。这些材料由于其本征半导体带隙和理论上较高的载流子迁移率，已成为下一代电子器件的理想平台。然而，尽管二维TMD材料在理论上具有高迁移率，实际应用中 ………………………………