上海交大《JMST》封面：(110)取向竖直纳米孪晶铜低温晶粒异常长大制备低电阻超大晶粒结构

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随着人工智能、5G、自动驾驶等技术的快速发展，芯片的集成度越来越高，芯片中铜互连的RC延迟成为亟需解决的关键问题。从铜互连的角度，降低RC延迟的关键在于降低其电阻。对于纯铜而言，降低其电阻最有效的手段是减少其中的晶界数目，获得更大的晶粒尺寸甚至单晶。传统的铜互连制备采用电沉积工艺，获得的是晶粒细小的等轴晶结构，通常采用退火来提高铜互连的晶粒尺寸，但等轴的细晶粒结构退火时晶粒尺寸通常长到一定极限后便不再生长。晶粒异常长大是一种局部晶粒突破生长限制快速生长，吞并周围晶粒以得到超大晶粒结构的过程，但目前有报道的铜晶粒异常长大制备超大晶粒都需要较高的温度（>400℃），对半导体集成电路的可靠性有较大危害。 近日，上海交通大学材料科学与工程学院吴蕴雯副教授等人在Journal of Materials Science & ………………………………